宏微科技推出1700V IGBT产品,广泛应用于高压变频、SVG、储能等领域
针对以上两种应用,宏微科技推出75A-450A不同电流等级的半桥模块和75A-150A的H桥一体化模块。通过每相采用单个或两个及以上半桥模块并联,基本可以覆盖3kV-10kV高压变频器的中小功率范围和一部分大功率范围、3kV-35kV级联储能系统的中等容量范围、3kV-35kV SVG的中等容量范围。同时针对小功率段的高压变频器,使用H桥一体化模块,可以减少模块使用数量,大幅削减链节体积,降低结构成本。
基于GWB封装平台 功率密度高 低热阻设计 低寄生电感 通过HV-H3TRB、防硫等可靠性试验
1、常高温下FRD压降更低,热阻更小;IGBT压降与竞品接近,但热阻更小,从而使得整体发热更小。
2、常高温下,相同速度开关损耗更小,尖峰更低,寄生电感更小。
3、150℃,VGE=15V,Vcc=1000V条件下短路能力≥10us。
4、通过HV-H3TRB和硫化等高可靠性试验
以MMG100W170HX6TC一体化模块为例
基于GW封装平台 集成度高 功率密度高 内置NTC电阻 通过HV-H3TRB、防硫等可靠性试验
以往高压变频器应用为了搭建H桥拓扑,需要用2个“半桥的IGBT模块”和1个“整流二极管模块”来进行组合构建,总计使用3个功率模块。
使用宏微MMG100W170HX6TC一体化模块,只用1个模块即可完成3个模块的工作,同时还内置了NTC热敏电阻,以辅助我们在实际工作中进行温度监控。
与原先方案对比,可实现的功能只多不少,而且1个一体化 IGBT模块构成高压变频器的1个单元,使系统级联设计变得更容易。
如果运行条件完全相同,使用一体化新产品可以大幅削减链节体积,从而缩小整机体积,降低结构成本,优化电气特性。
宏微科技此次推出的1700V一系列产品,不仅在芯片性能上进行了改进,还在封装形式上进行创新,有效地降低了功耗,提升了效率;还具有更出色的可靠性能力,HV-H3TRB、防硫化等使其在实际应用中表现更加优秀。
我们相信,1700V这一系列的IGBT模块将为工控、变频、电能改善等领域的应用带来更高的性能和可靠性,同时也将为行业发展带来更多的创新和进步。