CN

SiC 混合模块

碳化硅（SiC）混合模块是具有高功率密度的 IGBT 集成功率模块。它们的开关损耗比非混合模块更低，工作温度也高于其他类型的半导体。碳化硅混合模块可用于要求低损耗的大功率应用。对于需要高频开关的系统，碳化硅混合模块的效率更高。


混合模块命名规则.jpg

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  • VCES (V)
    • 650
    • 1200

    重置筛选

  • IC (A)
    • 300
    • 450
    • 600

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  • VCE(sat) (V)
    • 1.40
    • 1.85
    • 1.90

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  • RthJC (K/W)
    • 0.048
    • 0.065
    • 0.25

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  • Tjmax
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  • Packages
    • GHP
    • GWB

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Type
VCES (V)
IC (A)
VCE(sat) (V)
RthJC (K/W)
Tjmax
Packages
筛选
  • 650
  • 1200

重置筛选
筛选
  • 300
  • 450
  • 600

重置筛选
筛选
  • 1.40
  • 1.85
  • 1.90

重置筛选
筛选
  • 0.048
  • 0.065
  • 0.25

重置筛选
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  • 175℃

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  • GHP
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重置筛选
MMG300HP065PG6T5
650 300 1.40 0.25 175℃ GHP
MMG300HP065PF6T5
650 300 1.40 0.25 175℃ GHP
MMG600WB120B6TC
1200 600 1.90 0.048 175℃ GWB
MMG450WB120B6TC
1200 450 1.85 0.065 175℃ GWB