SiC MOSFET 分立器件
碳化硅 MOSFET 具有优秀的高频、高压、高温性能，在电力电子系统中应用碳化硅 MOSFET 器件替代传统硅 IGBT 器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。主要适用于：光伏逆变、储能、工业电源、新能源汽车、电机驱动、充电桩等领域。
宏微碳化硅 MOSFET 分立器件具有低开关损耗、高工作结温、低导通电阻等特点，产品具备足够的鲁棒性。
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VDSS (V)
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Qualification
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Industrial
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Packages
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TO-247-4L
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Type
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VDSS (V)
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ID (A)
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RDS(on) (mΩ)
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QGD (nC)
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VGS,op (V)
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Qrr (nC)
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Trr (ns)
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Tjmax
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Qualification
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Packages
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| 1200 | 50 | 40 | 25 | -4/+18 | 430 | 17.5 | 175°C | Industrial |
TO-247-4L 
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